Производитель Номер продукта:
BSS816NW L6327
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS816NW L6327-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Инвентаризация:
12798950
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS816NW L6327 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 2.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
750mV @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
180 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT323
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS816NW L6327-DG
BSS816NWL6327
SP000464852
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSS816NWH6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
141893
Номер части
BSS816NWH6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRF4905L
MOSFET P-CH 55V 42A TO262
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
AUIRLR120NTRL
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
